德國(guó)BALLUFF磁敏傳感器，BTL5-S173B-M0400-P-S32[產(chǎn)品打印頁(yè)面]

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德國(guó)BALLUFF磁敏傳感器，BTL5-S173B-M0400-P-S32
德國(guó)BALLUFF磁敏傳感器對(duì)磁場(chǎng)的作用機(jī)理不同，傳感器內(nèi)載流子運(yùn)動(dòng)方向與被檢磁場(chǎng)在一平面內(nèi)。（順便提醒一點(diǎn)，霍爾效應(yīng)于磁阻效應(yīng)是并存的。在制造霍爾器件時(shí) 應(yīng)努力減少磁阻效應(yīng)的影響，而制造磁阻器件時(shí)努力避免霍爾效應(yīng)（在計(jì)算公式中，互為非線性項(xiàng)）。在磁阻器件應(yīng)用中，溫度漂移的控制也是主要矛盾，在器件制備方面，磁阻器件由于與霍爾不同，因此，早期的產(chǎn)品為單只磁敏電阻。由于溫度漂移大，現(xiàn)在多制成單臂（兩只磁敏電阻串聯(lián)）主要是為補(bǔ)償溫度漂移。目前也有全橋產(chǎn)品，但用法（目的）與霍爾器件略有差異。
通電的載體在受到垂直于載體平面的外磁場(chǎng)作用時(shí)，則載流子受到洛倫茲力的作用，并有向兩邊聚集的傾向,由于自由電子的聚集(一邊多一邊必然少)從而形成電勢(shì)差，在經(jīng)過(guò)特殊工藝制備的半導(dǎo)體材料這種效應(yīng)更為顯著。從而形成了霍爾元件。早期的霍爾效應(yīng)的材料Insb(銻化銦)。為增強(qiáng)對(duì)磁場(chǎng)的敏感度,在材料方面半導(dǎo) 體IIIV 元素族都有所應(yīng)用。近年來(lái)，除Insb之外，有硅襯底的，也有砷化鎵的。霍爾器件由于其工作機(jī)理的原因都制成全橋路器件，其內(nèi)阻大約都在 150Ω~500Ω之間。對(duì)線性傳感器工作電流大約在2~10mA左右，一般采用恒流供電法。
1. 集成電路技術(shù)的應(yīng)用. 將硅集成電路技術(shù)應(yīng)用于磁敏傳感器, 制成集成磁敏傳感器.
2.InSb 薄膜技術(shù)的開(kāi)發(fā)成功,使得霍爾器件產(chǎn)能劇增,成本大幅度下降.
3.強(qiáng)磁體合金薄膜得到廣泛應(yīng)用.各種磁阻器件出現(xiàn),應(yīng)用領(lǐng)域廣泛.
4.巨磁電阻多層薄膜的研究與開(kāi)發(fā).新器件的高靈敏度,高穩(wěn)定性,引起研制高密度記錄磁盤(pán)讀出頭的科技人員的極大關(guān)注.
5.非晶合金材料的應(yīng)用.與基礎(chǔ)器件配套應(yīng)用,大大改善了磁傳感器性能.
6.Ⅲ—V 族半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)構(gòu)材料的開(kāi)發(fā)和應(yīng)用.通過(guò)外延技術(shù),形成異質(zhì)結(jié)構(gòu),提高磁敏器件的性能
balluff BTL5-D112-M450-P-S93
balluff BTL5-E10-M1400-P-S32
balluff BTL5-D112-M1400-P-S93
balluff BTL5-E10-M0400-P-S32
balluff BTL5-F-2814-1S
balluff BTL5-C10-M0100-B-S32
balluff BKS-S33M-00(10M)
balluff BTL-P-1012-4R
balluff BTL5-A11-M1500-B-S32
balluff BOS 18KF-NA-1PE-S4-C
balluff BES 516-114-SA1-05
balluff BTL7-E100-M0135-B-KA05
balluff BTL5-A11-M0360-P-S32
balluff BTL5-F-2814-1S
balluff BTL5-E10-M0650-P-S32
balluff BES 516-211-E4-E-03
balluff BES 516-300-S 240-D-PU-05
balluff BNS 519-X496-99-R-11
balluff BTL5-E10-M1860-B-NEX-S32
balluff BTL5-E10-M1160-B-NEX-S32
balluff BTL5-S172-M0670-B-KA05
balluff BTL5-S172-M0700-B-KA05
balluff BTL5-E10-M1100-P-S32
balluff BKS-S32M-C-00
balluff BKS-S48-15-CP-02
balluff BTL5-S172-M1830-B-KA05

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